技术参数
1.平板探测器
★1.1类型：硫氧化钆或碘化铯非晶硅整板探测器，原装进口
★1.2结构：闪烁体层、非晶硅层以及薄膜电路层均为整板设计，非拼接结构
★1.3操作软件：原装进口，并与平板探测器属于同一生产商（提供进口报关单）
★1.4有效采集面积：≥410×410mm
1.5矩阵：≥3050×3050
1.6像素：≤140μm
1.7输出灰阶：≥14bit
1.8极限分辨率：≥3.6LP/mm
1.9成像时间：≤5s
2高频高压发生器
2.1大输出功率：50KW
2.2千伏调节范围：40KV~150KV 连续可调
★2.3毫安调节范围：10mA~630mA 分档可调
★2.4mAS调节范围：0.4mAS~630mAS 连续可调
2.5电源条件：380V.50HZ
3.X射线管组件
3.1X射线管型号：XD57 20.50/150
3.2焦点尺寸：小焦点：0.6、大焦点：1.2
3.3焦点大功率：小焦点：20KW 大焦点：50KW
3.4阳极转速：2800r/min
3.5阳极热容量：230KHU
3.6组件热容量：1250KHU
4.UC臂机架
4.1  FID：460mm~1700mm
4.2  SID: 1000mm~1800mm
4.3  ROT:  -30°±2°~140°±2°
★4.4探测器旋转角度：-45°±2°~45°±2°
★4.5采用轻触式液晶显示屏，PLC控制
5彩色图像工作站
5.1主机频率：CPU≥2.53GHZ×2
5.2内存：≥6GB
5.3硬盘：≥1T
5.4显示器：≥19英寸LCD
5.5图像处理系统：应具有窗宽、窗位调节、黑白反转、放大、旋转、翻转、注释、测量、  降噪、锐化、镜像等功能
5.6DICOM 功能：具有打印、存储、传输等
5.7采集：千兆网采集