国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种CCP刻蚀设备上部电极的表面预处理方法”的专利，公开号CN121768941A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种CCP刻蚀设备上部电极的表面预处理方法，包括：提供刻蚀设备，其刻蚀腔体中安设有上部电极，电极为二氧化硅材质；向刻蚀腔体内传入晶圆；引入氩气，对上部电极表面进行轰击处理；引入第一工艺气体，对上部电极表面进行第一刻蚀处理，第一工艺气体包括含氟刻蚀气体；引入第二工艺气体，对上部电极表面进行第二刻蚀处理，第二工艺为氩气和氧气的混合气体；传出晶圆；重复执行上述步骤预定次数，直至预定时长。本申请先采用等离子体的物理轰击破坏上部电极的大断裂面，后续提供第一刻蚀处理重点清除劣化区域，再通过第二刻蚀进行清洁和修复，以此循环执行，能够高效实现电极表面的预处理，提高使用寿命。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息272条，此外企业还拥有行政许可12个。

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作者：情报员